Тендер: поставка многослойных эпитаксиальных полупроводниковых светодиодных гетероструктур InGaN/GaN на подложке сапфира (Al2O3)
Начальная цена
400 000 ₽
Организатор закупки
НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ, ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ, НИ ТГУ, ТГУ
Анализ заказчика
Место поставки
г. Томск
,
Томская область
Завершён
29.12.2015 15:53
Участие
Способ размещения
Закупки у единственного поставщика
, Закупка у единственного поставщика (подрядчика, исполнителя) (до 01.07.18)
Ссылки на источники
- 223-ФЗ ЕИС 31503167577
Документация
Контактная информация
Телефон
+7 (3822) 528403
Электронная почта
lawyers@mail.tsu.ru
Заказчик
Наименование
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"
ИНН
7018012970
КПП
701701001
Участники и контракты
Аналитика доступна только зарегистрированным пользователям. Пройдите бесплатную регистрацию, чтобы использовать все возможности сервиса
Похожие тендеры
Наименование | Место поставки |
|
---|
:
:
Тендер на поставку многослойных эпитаксиальных полупроводниковых светодиодных гетероструктур InGaN/GaN на подложке сапфира (Al2O3)
Тендер на поставку многослойных эпитаксиальных полупроводниковых светодиодных гетероструктур InGaN/GaN на подложке сапфира (Al2O3) at
г. Томск, Томская область, Russia, RU
Томская область
Электрическая распределительная и регулирующая аппаратура, Электроустановочные изделия, Электронные компоненты
Предмет тендера: поставка многослойных эпитаксиальных полупроводниковых светодиодных гетероструктур InGaN/GaN на подложке сапфира (Al2O3).
Цена: 400000 руб.