Строка поиска позволяет искать тендеры:

  • по ИНН и наименованию заказчика, например, «Аэрофлот»
  • по месту поставки, например, «Новосибирск»
  • по предмету тендера, например, «погружной насос», «строительство Владивосток»
  • по ОКПД2 или КТРУ, например, «20.59.43»
  • по номеру тендера с нашего сайта или с ЕИС

Важно! Если указать несколько ключевых слов, то в результаты поиска не войдут тендеры, которые содержат только одно ключевое слово.

Для создания сложных поисковых запросов с несколькими ключевыми словами и словами-исключениями воспользуйтесь расширенным поиском.

Строка поиска позволяет искать тендеры:

  • по ИНН и наименованию заказчика, например, «Аэрофлот»
  • по месту поставки, например, «Новосибирск»
  • по предмету тендера, например, «погружной насос», «строительство Владивосток»
  • по ОКПД2 или КТРУ, например, «20.59.43»
  • по номеру тендера с нашего сайта или с ЕИС

Важно! Если указать несколько ключевых слов, то в результаты поиска не войдут тендеры, которые содержат только одно ключевое слово.

Для создания сложных поисковых запросов с несколькими ключевыми словами и словами-исключениями воспользуйтесь расширенным поиском.

Тендер  №110985464205
 от 04.02.14

Тендер: выполнение составной части опытно-конструкторской работы «Разработка метода технологического контроля приповерхностной области полупроводника, диэлектрического покрытия, границы раздела диэлектрик-полупроводник гетероэпитаксиальных структур ртуть-кадмий-теллур для разработки технологических процессов изготовления матричных фотоприемников

Начальная цена 1 500 000 ₽
Организатор закупки
Место поставки
Советский район , Новосибирская область
Завершён
04.02.2014 17:05
Участие
Способ размещения Закупки у единственного поставщика , Закупка у единственного поставщика (подрядчика, исполнителя) (до 01.07.18)
Ссылки на источники
Контактная информация
Контактное лицо Принц Ирина Васильевна
Телефон +7 (383) 3307740
Электронная почта princessa@isp.nsc.ru
Заказчик
Наименование
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
ИНН 5408100057
КПП 540801001

Участники и контракты

Аналитика доступна только зарегистрированным пользователям. Пройдите бесплатную регистрацию, чтобы использовать все возможности сервиса