Тендер: Поставка оборудования в рамках стратегической программы создания и развития инжинирингового центра по микропроцессорным системам НИЯУ МИФИ в части прототипирования и разработки перспективных приборов электронной компонентной базы на основе полупроводниковых материалов AIIIBV (GaAs, GaN) и SiC для силовой и СВЧ-электроники
Завершён
25.12.2014 10:47
Участие
Способ размещения
Закупки у единственного поставщика
, Закупка у единственного поставщика (подрядчика, исполнителя) (до 01.07.18)
Ссылки на источники
- 223-ФЗ ЕИС 31401870138
Документация
Контактная информация
Контактное лицо
Грехов Максим Михайлович
Телефон
+7 (495) 7885699
Электронная почта
TBGuseva@mephi.ru
Заказчик
Наименование
Северский технологический институт - филиал федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
ИНН
7724068140
КПП
702443001
Участники и контракты
Аналитика доступна только зарегистрированным пользователям. Пройдите бесплатную регистрацию, чтобы использовать все возможности сервиса
Похожие тендеры
Наименование | Место поставки |
|
---|
:
:
Тендер на поставку оборудования в рамках стратегической программы создания и развития инжинирингового центра по микропроцессорным системам НИЯУ МИФИ в части прототипирования и разработки перспективных приборов электронной компонентной базы на основе полупроводниковых материалов AIIIBV (GaAs, GaN) и SiC для силовой и СВЧ-электроники
Тендер на поставку оборудования в рамках стратегической программы создания и развития инжинирингового центра по микропроцессорным системам НИЯУ МИФИ в части прототипирования и разработки перспективных приборов электронной компонентной базы на основе полупроводниковых материалов AIIIBV (GaAs, GaN) и SiC для силовой и СВЧ-электроники at
г. Северск, Томская область, Russia, RU
Томская область
Электрическая распределительная и регулирующая аппаратура, Электроустановочные изделия, Электронные компоненты
Предмет тендера: Поставка оборудования в рамках стратегической программы создания и развития инжинирингового центра по микропроцессорным системам НИЯУ МИФИ в части прототипирования и разработки перспективных приборов электронной компонентной базы на основе полупроводниковых материалов AIIIBV (GaAs, GaN) и SiC для силовой и СВЧ-электроники.
Цена: 310570 руб.