Тендер: Разработка средств проектирования топологии кристаллов мощных СВЧ длинноимпульсных транзисторов
Завершён
16.12.2014 16:21
Участие
Способ размещения
Закупки у единственного поставщика
, Закупка у единственного поставщика (подрядчика, исполнителя) (до 01.07.18)
Ссылки на источники
- 223-ФЗ ЕИС 31401826099
Документация
Контактная информация
Телефон
+7 (473) 2802299
Электронная почта
konkurs@niiet.ru
Заказчик
Наименование
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники"
ИНН
3661057900
КПП
366101001
Участники и контракты
Аналитика доступна только зарегистрированным пользователям. Пройдите бесплатную регистрацию, чтобы использовать все возможности сервиса
Похожие тендеры
Наименование | Место поставки |
|
---|
:
:
Тендер на разработку средств проектирования топологии кристаллов мощных СВЧ длинноимпульсных транзисторов
Тендер на разработку средств проектирования топологии кристаллов мощных СВЧ длинноимпульсных транзисторов at
г. Воронеж, Воронежская область, Russia, RU
Воронежская область
Планирование и проведение научных исследований и разработок
Предмет тендера: Разработка средств проектирования топологии кристаллов мощных СВЧ длинноимпульсных транзисторов.
Цена: 380000 руб.