Тендер: НИР: «Исследование светодиодных структур, выращенных на основе GaAs на подложках Ge/Si
Начальная цена
1 000 000 ₽
Организатор закупки
Место поставки
г. Кстов, г. Сергач
,
Нижегородская область
Завершён
17.03.2015 16:23
Участие
Способ размещения
Закупки у единственного поставщика
, Закупка у единственного поставщика (подрядчика, исполнителя) (до 01.07.18)
Ссылки на источники
- 223-ФЗ ЕИС 31502140748
Документация
- 17.03.2015
- Документация о закупке (исследование светодиодных структур) № ЕП-12-223-15 от 17.03.2015 на 1000000,0
- извещение о закупке у единственного поставщика на 1000000,0 руб
- Договор на НИФТИ 2015 год в рамках РНФ тема 701 на 1000000,0 руб
- Протокол НИФТИ
- 223-ФЗ ЕИС. Ссылка на сайт размещения тендера #110716027887.doc
Заказчик
Наименование
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики микроструктур Российской академии наук
ИНН
5260035830
КПП
525001001
Участники и контракты
Аналитика доступна только зарегистрированным пользователям. Пройдите бесплатную регистрацию, чтобы использовать все возможности сервиса
Похожие тендеры
Наименование | Место поставки |
|
---|
:
:
Тендер: НИР: «Исследование светодиодных структур, выращенных на основе GaAs на подложках Ge/Si
Тендер: НИР: «Исследование светодиодных структур, выращенных на основе GaAs на подложках Ge/Si at
г. Кстов, г. Сергач, Нижегородская область, Russia, RU
Нижегородская область
Планирование и проведение научных исследований и разработок
Предмет тендера: НИР: «Исследование светодиодных структур, выращенных на основе GaAs на подложках Ge/Si.
Цена: 1000000 руб.